SELF-ALIGNED PATTERN FORMATION USING DUAL WAVELENGTHS

An integrated circuit fabrication process for patterning features at sub-lithographic dimensions is disclosed herein. The process includes sequentially exposing a of a film of arylalkoxysilane with a photobase generator, and catalytic amount of water coated on top of a conventional lipophilic photoresist layer provided over a substrate and exposed to a radiation at a first and a second lithographic wavelengths. The first lithographic wavelength is shorter than the second lithographic wavelength. Exposure to the first lithographic wavelength causes a self-aligned mask to form within the photoresist layer. Procédé de fabrication de circuit intégré pour former des motifs de dimensions sous-lithographiques. Le procédé comporte l'exposition séquentielle d'une couche d'un film d'arylalcoxysilane contenant un générateur de photobase et une quantité catalytique d'eau, ladite couche étant appliquée sur une couche de résine photosensible lipophile classique se situant sur un substrat et ayant été soumise à un rayonnement, à une première et à une deuxième longueurs d'onde lithographiques. La première longueur d'onde lithographique est plus courte que la deuxième longueur d'onde lithographique. L'exposition à la première longueur d'onde lithographique provoque la formation d'un masque auto-aligné dans la couche de résine photosensible.