SEMICONDUCTOR COMPONENT CIRCUIT WITH A REDUCED OSCILLATION TENDENCY

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit wenigstens zwei Halbleiterbauelementen (20, 22), die jeweils Anschlüsse aufweisen, wobei wenigstens ein Anschluss (21) des einen Halbleiterbauelements (20) elektrisch leitend mit einem Anschluss (23) des anderen Halbleiterbauelements (22) verbunden ist. Um die während Schaltvorgängen auftretenden hochfrequenten Schwingungen zu dämpfen ist vorgesehen, oberhalb der Anordnung beabstandet zu den Halbleiterbauelementen (20, 22) eine Wirbelstromdämpfungsstruktur (50, 52, 54) vorzusehen oder die Halbleiterbauelemente (20, 22) zusätzlich zu der bestehenden elektrischleitenden Verbindung zusätzlich mit einer hochohmigen Leitungsverbindung (50) direkt miteinander zu verbinden. The present invention relates to a circuit assembly with at least two semiconductor components (20, 22), each having terminals, whereby at least one terminal (21) of the first semiconductor component (20) is connected to a terminal (23) of the other semiconductor component (22) in an electrically conductive manner. The aim of said invention is to damp high-frequency oscillations which occur during switching operations. Said aim is achieved, whereby either an eddy-current damping structure (50, 52, 54) is provided above said assembly at a distance from the semiconductor components (20, 22) or said semiconductor components (20, 22) are directly connected to each other by means of a high-resistance wire connection (50) in addition to the existent electroconductive connection. La présente invention concerne un ensemble circuit comprenant au moins deux composants à semiconducteur (20, 22), chacun pourvu de bornes. Selon cette invention, au moins une borne (21) du premier composant à semiconducteur (20) est reliée, de façon électroconductrice, à une borne (23) de l'autre composant à semiconducteur (22). L'objectif de cette invention est d'amortir les oscillations à haute fréquence qui apparaissent lors d'opérations de commutation. A cet effet, soit une structure d'amortissement (50, 52, 54) par courants de Foucault est placée au-dessus dudit ensemble à une certaine distance des composants à semiconducteur (20, 22) soit ces composants à semiconducteur (20, 22) sont directement reliés l'un à l'autre par une liaison câblée à haute résistance (50), outre la liaison électroconductrice existante.