GCIB PROCESSING TO IMPROVE INTERCONNECTION VIAS AND IMPROVED INTERCONNECTION VIA

Reactive gas cluster ion beam processing using gas cluster ions comprising a mixture of gases cleans and/or etches the bottoms of electrical interconnect vias and/or trenches in integrated circuits(900) to produce interconnect structures(902) with lower contact resistances and better reliability tha...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SKINNER, WESLEY, J, HAUTALA, JOHN, J
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Reactive gas cluster ion beam processing using gas cluster ions comprising a mixture of gases cleans and/or etches the bottoms of electrical interconnect vias and/or trenches in integrated circuits(900) to produce interconnect structures(902) with lower contact resistances and better reliability than was previously achieved with conventional processes. In one embodiment, an electrical interconnect via structure (902) uses a dielectric or high resistivity diffusion barrier material (702). L'invention concerne un procédé réactif de traitement par faisceaux d'ions d'agrégats gazeux utilisant des ions d'agrégats gazeux comprenant un mélange de gaz, lequel procédé nettoie et/ou grave les fonds des trous d'interconnexion électrique et/ou des tranchées dans les circuits intégrés (900) afin de produire des structures d'interconnexion (902) présentant des résistances de contact plus faibles et une meilleure fiabilité par rapport aux procédés classiques. Dans un mode de réalisation, une structure de électrique (902) utilise un matériau barrière de diffusion diélectrique ou à haute résistivité (702).