SUBSTRATE CONTACT IN SOI AND METHOD THEREFOR

A doped area is formed in the silicon substrate layer (12, 62) of a silicon-on-insulator stack including a silicon substrate (12, 62), an insulator layer (14, 64) and an silicon active layer (16, 66), by implanting a species through at least the insulator layer. In one embodiment, the silicon active layer (16, 66) is etched and the species are implanted in the silicon substrate (12, 62) through the exposed insulator layer. Thus, a doped region is formed in the silicon substrate (12, 62) under the areas where the silicon active layer (16, 66) was removed. In another embodiment after etching the silicon active layer (16, 66), a dielectric layer (30) is formed adjacent to the silicon active layer (16, 66) and on the insulator layer (14). In this embodiment, the species are implanted over the entire wafer through both the silicon active layer (16, 66) and the insulator layer (14). In both embodiments, the species are implanted before forming a gate electrode (34) of a transistor (32). On forme une zone dopée dans la couche substrat en silicium (12, 62) d'un pile isolant-sur-silicium (SOI) comportant un substrat de silicium (12, 62), une couche d'isolant (14, 64) et une couche active d'isolant (16, 66), par l'implantation d'une espèce à travers au moins la couche d'isolant. Dans un mode de réalisation, on attaque la couche active de silicium (16, 66) et on implante les espèces dans le substrat en silicium (12, 62) à travers la couche d'isolant exposée. Ainsi, on forme une région dopée dans le substrat en silicium (12, 62) sous les zones dans lesquelles la couche active de silicium (16, 66) a été enlevée. Dans un autre mode de réalisation, après avoir attaqué la couche active de silicium (16, 66), on forme une couche de diélectrique (30) à proximité immédiate de la couche active de silicium (16, 66) et sur la couche d'isolant (14). Dans ce mode de réalisation, on implante les espèces sur l'intégralité de la tranche, à travers la couche active de silicium (16, 66) et la couche d'isolant (14). Dans les deux modes de réalisation, on implante les espèces avant de former une électrode grille (34) de transistor (32).