STABILITY FACTORS FOR TUNEABLE MULTI-SECTION SEMICONDUCTOR LASERS

A method is described for qualifying a multisection semiconductor laser (100) using measurements of excursions from stable operating conditions (61) to neighbouring mode boundaries (52, 142) at which the laser undergoes mode-hopping. These excursions are measured when the laser is characterised to provide a measure of the stability and hence the quality of the laser, and to facilitate statisctical analysis of the quality of a batch of lasers from a given wafer. The values of the excursions may be re-measured during the life of the laser using a curtailed version of the characterising procedure rapidly to monitor aging or other deterioration of the laser (100). L'invention concerne un procédé de qualification d'un laser à semi-conducteurs multisection (100) par l'intermédiaire de mesures d'écarts de conditions de fonctionnement stables (61) vers des limites de modes adjacents (52, 142) au niveau desquelles le laser subit au saut de mode. Ces écarts sont mesurés lorsque le laser est caractérisé de manière à produire une mesure de la stabilité et donc de la qualité du laser, et à simplifier l'analyse statistique de la qualité d'un lot de lasers à partir d'une tranche donnée. Les valeurs de ces écarts peuvent être mesurées à nouveau sur la durée de vie du laser par l'intermédiaire d'une version réduite de la procédure de caractérisation, de manière à contrôler rapidement le vieillissement ou tout autre type de détérioration du laser (100).