CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM

A method and apparatus for the use of individual vertically stacked ALD or CVD reactors (110). Individual reactors are independently operable and maintainable. The gas inlet and output are vertically configured with respect to the reactor chamber for generally axi-symmetric process control. The cham...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JANSZ, ADRIAN, PUCHACZ, JUREK, DOERING, KEN, SEIDEL, THOMAS, E
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method and apparatus for the use of individual vertically stacked ALD or CVD reactors (110). Individual reactors are independently operable and maintainable. The gas inlet and output are vertically configured with respect to the reactor chamber for generally axi-symmetric process control. The chamber design is modular in which cover and base plates forming the reactor have improved flow design. L'invention porte sur un procédé et un appareil d'utilisation de réacteurs ALD (dépôt en couches atomiques) ou CVD (dépôt chimique en phase vapeur) indépendants empilés. Les entrées et sorties de gaz dont disposées verticalement par rapport à la chambre du réacteur pour permettre une commande de processus sensiblement symétrique par rapport à l'axe. La chambre présente une conception selon laquelle les plaques de couverture et de base formant le réacteur ont une forme assurant un meilleur écoulement.