METHOD FOR IMPLEMENTING AN EFFICIENT AND ECONOMICAL CATHODE PROCESS

The present writing reveals a method of fabricating a cathode requiring relatively few and somewhat simple steps. A novel etchant gas chemistry dispenses with needing a second passivation layer (PA2). A direct via is formed without a separate mask. Access and isolation features of a metallic gate (MG) are patterned in the same patterning operation as an associated passivation layer, dispensing with a need for separate patterning of each. Etching is effectuated with high selectivity for nitrides of silicon. The requirement for at least one passivation layer deposition, a direct via masking step, and separate patterning steps for the passivation layer and metallic gate are eliminated. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cathode ne nécessitant que quelques étapes relativement simples. L'utilisation d'un nouveau gaz chimique d'attaque dispense de recourir à une seconde couche de passivation (PA2). Un trou d'interconnexion direct est formé sans masque distinct. Des caractéristiques d'accès et d'isolation d'une porte métallique (MG) sont structurées au cours de la même opération de structuration que celle d'une couche de passivation associée, dispensant ainsi de recourir à une structuration distincte. L'attaque est très sélective en matière de nitrures de silicium. Un tel procédé permet d'éliminer les exigences relatives à au moins un dépôt de couche de passivation, une étape de masquage de trou d'interconnexion direct et des étapes distinctes de structuration destinées à la couche de passivation et à la porte métallique.