MULTIPLE DISCHARGE CAPABLE BIT LINE

A memory array, comprising : a discharge device connected to a global bit line; and a feedback path from the global bit line to at least one other discharge device connected to the global bit line. L'invention porte sur une matrice de mémoires comprenant un dispositif de décharge raccordé à une...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: CHEHRAZI, FARZAD, DESAI, SHAISHAV, A, TAWARI, DEVENDRA, N, MEHTA, ANUP S
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A memory array, comprising : a discharge device connected to a global bit line; and a feedback path from the global bit line to at least one other discharge device connected to the global bit line. L'invention porte sur une matrice de mémoires comprenant un dispositif de décharge raccordé à une ligne binaire globale et une voie de rétroaction allant de la ligne binaire globale à au moins un autre dispositif de décharge raccordé à la ligne binaire globale.