CHROMIUM/TITANIUM OXIDE SEMICONDUCTOR GAS SENSOR AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Es wird ein Metalloxid-Halbleitergassensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorgeschlagen, wobei der Sensor aus einer auf einem Substrat aufgebrachten sensoraktiven Metalloxid-Dünnschicht besteht, die mit mindestens einer Elektrode in Kontakt ist. Die sensoraktive Metalloxid-Dünnschicht ist als Chrom-Titanoxid (CTO)Schicht ausgebildet, die eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 mu m aufweist. Die Chrom- und Titanschichten werden mittels Dünnschichttechniken übereinander aufgebracht und anschliessend getempert. A metal oxide semiconductor gas sensor and a method for production thereof are disclosed, where the sensor comprises a sensor-active metal oxide thin layer applied to a substrate, in contact with at least one electrode. The sensor-active metal oxide thin layer is embodied as a chromium/titanium oxide (CTO) layer with a layer thickness of 10 nm to 1 mu m. The chromium and titanium layers are applied over each other using thin layer technology and subsequently tempered. L'invention concerne un détecteur de gaz métal-oxyde-semi-conducteur et un procédé permettant de le produire. Ledit détecteur comprend une fine couche de métal-oxyde, active en termes de détection, appliquée sur un substrat, qui est en contact avec au moins une électrode. La fine couche de métal-oxyde, active en termes de détection, se présente sous forme de couche de chrome-titane-oxyde (CTO), de 10 nm à 1 mu m d'épaisseur. Les couches de chrome et de titane sont appliquées par superposition mutuelle, par des techniques de couches minces, puis sont durcies par trempe.