MAGNETORESISTIVE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

A magnetoresistive device (11) having a lateral structure and provided with a non-magnetic spacer layer (3) of organic semiconductor material allows the presence of an additional electrode (19). With this electrode (19), a switch-function is integrated into the device (11). Preferably, electrically...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GIEBELER, CARSTEN, COEHOORN, REINDER, ZILKER, STEPHAN, J, LENSSEN, KARS-MICHIEL, H
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INDUCTANCES INFORMATION STORAGE MAGNETS PHYSICS SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES SEMICONDUCTOR DEVICES STATIC STORES TRANSFORMERS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A magnetoresistive device (11) having a lateral structure and provided with a non-magnetic spacer layer (3) of organic semiconductor material allows the presence of an additional electrode (19). With this electrode (19), a switch-function is integrated into the device (11). Preferably, electrically conductive layers (13,23) are present for the protection of the ferromagnetic layers (1,2). The magnetoresistive device (11) is suitable for integration into an array so as to act as an MRAM device. Cette invention concerne un dispositif magnétorésistant (11) comportant une structure latérale ainsi qu'une couche de séparation (3) amagnétique composée d'un matériau semi-conducteur organique, lequel dispositif permet la présence d'une électrode (19) supplémentaire. Cette électrode (19) permet à une fonction commutatrice d'être intégrée dans ce dispositif (11). Des couches conductrices (13, 23) sont de préférence utilisées pour protéger les couches ferromagnétiques (1, 2). Ce dispositif magnétorésistant (11) peut être introduit dans un réseau de manière à servir de dispositif de mémoire MRAM.