SUBSTITUTED DONOR ATOMS IN SILICON CRYSTAL FOR QUANTUM COMPUTER

A patterned layer of electrically active donor atoms is incorporated into the surface of a silicon crystal via annealing or heat treatment. The layer may be encapsulated via epitaxial silicon growth. The patterned layer may comprise phosphorus atoms, and formed by exposing a selectively-desorbed hydrogen passivating layer to phosphine gas. A scanning tunneling microscope is used to view donor atoms and to measure their electrical activity. The donor atoms may be used as qubits in a solid state quantum computer. L'invention concerne une couche à motif d'atomes donneurs électriquement actifs incorporée dans la surface d'un cristal de silicium par l'intermédiaire d'un recuit ou d'un traitement thermique. Cette couche peut être intégrée par l'intermédiaire d'une croissance épitaxiale de silicium. La couche à motif selon l'invention peut comprendre des atomes de phosphore, et elle est formée par l'exposition à un gaz phosphine d'une couche de passivation par l'hydrogène désorbée de manière sélective. Un microscope à effet à balayage est utilisé pour visualiser les atomes donneurs et mesurer leur activité électrique. Ces atomes donneurs peuvent être utilisés comme bits quantiques dans un ordinateur quantique à l'état solide.