SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR MONOLITHIC SWITCH MATRIX

A semiconductor structure for a high frequency monolithic switch matrix (1200) includes a monocrystalline silicon substrate (22), an amorphous oxide material overlying the monocrystalline silicon substrate (28), a monocrystalline perovskite oxide material overlying the amorphous oxide material (24), a monocrystalline compound semiconductor material (26) overlying the monocrystalline perovskite oxide material, and a high frequency semiconductor integrated formed in and over the monocrystalline compound semiconductor material having one or more input ports (1214) and one or more output ports (1216). The high frequency semiconductor integrated circuit also includes a high frequency switch circuit (1202) that is electrically coupled to a switch driver control circuit (1204) that is fabricated on the monocrystalline compound semiconductor material and which provides the DC signals required to control the high frequency circuit. La présente invention concerne une structure de semi-conducteur conçue pour une matrice de commutation monolithique haute fréquence (1200), comprenant un substrat de silicium monocristallin (22), une couche d'oxyde amorphe (28) recouvrant ledit substrat de silicium monocristallin, une couche monocristalline d'oxyde de pérovskite (24) surmontant la couche d'oxyde amorphe, une couche monocristalline de semi-conducteur composé (26) recouvrant la couche monocristalline d'oxyde de pérovskite, ainsi qu'un circuit intégré de semi-conducteur haute fréquence formé dans et sur la couche monocristalline de semi-conducteur composé et comportant une ou plusieurs bornes d'entrée (1214) et une ou plusieurs bornes de sortie (1216). Le circuit intégré de semi-conducteur haute fréquence comprend en outre un circuit de commutation haute fréquence (1202) couplé électriquement à un circuit de commande (1204) formé sur la couche monocristalline de semi-conducteur composé et destiné à fournir les signaux CC servant à commander le circuit haute fréquence.