METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) WITH ALTERING THE CONCENTRATION OF OXIDIZING AGENT IN SLURRY

Chemical mechanical polishing (CMP) a metal film (155) at the surface of a substrate (150), with mixing a slurry precursor (201) with an oxidizing agent (202) to provide a slurry (200) with a predetermined agent concentration, and supplying the slurry to a CMP pad (140) to polish the film at a prede...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: HAGGART, DAVID, WESTON, JR, MAUTZ, KARL, EMERSON, MALTABES, JOHN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Chemical mechanical polishing (CMP) a metal film (155) at the surface of a substrate (150), with mixing a slurry precursor (201) with an oxidizing agent (202) to provide a slurry (200) with a predetermined agent concentration, and supplying the slurry to a CMP pad (140) to polish the film at a predetermined polishing rate is modified by altering the agent concentration at the end of polishing. Since the polishing rate is reduced, endpointing is enhanced. The concentration is altered by adding further oxidizing or reducing agents. L'invention concerne un procédé de polissage mécanique et chimique d'un film métallique (155) à la surface d'un substrat (150). Ce procédé consiste à mélanger un précurseur (201) de bouillie liquide avec un agent oxydant (202) pour fournir une bouillie liquide (200) avec une concentration prédéterminée en agent et à fournir cette bouillie à un tampon à polir (140) pour polir le film à une vitesse de polissage prédéterminée. Ce polissage est modifié en changeant la concentration en agent à la fin du polissage. Etant donné que la vitesse de polissage est réduite, on améliore le résultat final. La concentration est modifiée en ajoutant d'autres agents oxydants ou de réduction.