ETCH PATTERN DEFINITION USING A CVD ORGANIC LAYER AS AN ANTI-REFLECTION COATING AND HARDMASK

A multilayer antireflective hard mask structure is disclosed. The structure comprises: (a) a CVD organic layer comprises carbon and hydrogen; and (b) a dielectric layer over the CVD organic layer. The dielectric layer is preferably a silicon oxynitride layer, while the CVD organic layer preferably comprises 70-80% carbon, 10-20% hydrogen and 5-15% nitrogen. Also disclosed are methods of forming and trimming such a multilayer antireflective hard mask structure. Further disclosed are methods of etching a substrate structure using a mask structure that contains a CVD organic layer and optionally has a dielectric layer over the CVD organic layer. L'invention concerne une structure de masque dur anti-reflet multicouches. Cette structure comprend: (a) une couche organique CVD comprenant du carbone et de l'hydrogène; et (b) une couche diélectrique déposée par dessus la couche organique CVD. La couche diélectrique est, de préférence, une couche d'oxynitrure de silicium, alors que la couche organique CVD comprend, de préférence, 70 à 80 % de carbone, 10 à 20 % d'hydrogène et 5 à 15 % d'azote. La présente invention concerne également des procédés permettant de former et d'ajuster une telle structure de masque dur anti-reflet multicouches. En outre, l'invention concerne des procédés permettant de graver une structure de substrat à l'aide d'une structure de masque contenant une couche organique CVD et, éventuellement, une couche diélectrique recouvrant la couche organique CVD.