CURRENT SOURCE AND DRAIN ARRANGEMENT FOR MAGNETORESISTIVE MEMORIES (MRAMS)

A memory device comprising a plurality of bit lines and a plurality of word lines forming a cross-point array. A memory cell is located at each of the cross-points in the array. A bit decoder and word decoder are coupled to the bit lines and word lines, respectively. A first series of switch circuits are coupled to and located along the adjacent bit lines resulting in the array being divided into segments along the adjacent bit lines such that a shortened programming current path is provided which results in decreased resistance across the device. L'invention concerne un dispositif MRAM (400) comprenant des trajets d'écriture de longueur et de résistance sensiblement uniformes pour toutes les cellules de mémoire comprises dans la matrice mémoire (411). Des circuits CVC sont agencés par rapport à la matrice mémoire (411) de façon que la longueur du trajet d'écriture sur les lignes conductrices du dispositif MRAM (400) soit sensiblement identique pour toutes les cellules de mémoire dans la matrice (411), d'où la garantie que la résistance sur le trajet d'écriture est sensiblement uniforme. Par conséquent, la quantité de courant d'écriture fourni par les circuits CVC pour une écriture sur les cellules de la matrice mémoire (411) est sensiblement identique.