EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF MAKING EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK

An embedded attenuated phase shift mask ("EAPSM") includes an etch stop layer that can be plasma etched in a process that is highly selective to the underlying quartz substrate. Selectivity to the underlying quartz maintains a desired 180 degree phase shift uniformly across the active mask area. Conventional plasma etching techniques can be utilized without damage to the underlying quartz substrate. Alternatively, the etch stop layer comprises a transparent material that can remain intact ion the mask structure. L'invention concerne un masque à décalage de phase atténué intégré ("EAPSM") comprenant une couche d'arrêt de gravure pouvant être gravée au plasma dans un processus hautement sélectif par rapport au substrat de quartz sous-jacent. La sélectivité par rapport au quartz sous-jacent maintient un décalage de phase uniforme désiré de 180 degrés dans la zone de masquage active. Les techniques de gravure au plasma classiques peuvent être utilisées sans endommager le substrat de quartz sous-jacent. En variante, la couche d'arrêt de gravure comprend un matériau transparent pouvant rester intact dans la structure du masque.