SELF-ALIGNED MAGNETIC CLAD WRITE LINE AND METHOD THEREOF

A self-aligned magnetic clad bit line structure (274) for a magnetoresistive memory element (240a) and its method of formation are disclosed, wherein the self-aligned magnetic clad bit line structure (274) extends within a trench (258) and includes a conductive material (250), magnetic cladding sidewalls (262) and a magnetic cladding cap (252). The magnetic cladding sidewalls (262) at least partially surround the conductive material (264) and the magnetic cladding cap (252) is at least substantially recessed within the trench with respect to the top of the trench. L'invention concerne une structure (274) de ligne binaire auto-alignée à enveloppe magnétique destinée à un élément de mémoire (240a) magnétorésistive, et son procédé de formation. La structure (274) de ligne binaire auto-alignée à enveloppe magnétique s'étend dans une tranchée (258), et comprend un matériau conducteur (250), des parois latérales (262) d'enveloppe magnétique, et un bouchon (252) d'enveloppe magnétique. Les parois latérales (262) d'enveloppe magnétique sont au moins partiellement entourées du matériau conducteur (264), et le bouchon (252) d'enveloppe magnétique situé dans la tranchée est au moins sensiblement évidé par rapport à la partie supérieure de celle-ci.