METHOD OF FORMING CONDUCTIVE INTERCONNECTIONS ON AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

A method of forming conductive interconnections is disclosed herein. In one illustrative embodiment, the method comprises forming an opening (68) in a layer insulation material (62), forming a first plurality of silicon seed atoms (51) in the opening (68), and performing a first tungsten growing process to form tungsten material in the opening. The method further comprises forming a second plurality of silicon seed atoms (53) in the opening (68) above at least a portion of the tungsten material formed during the first tungsten growing process, and performing at least one additional tungsten growing process after forming the second plurality of silicon seed atoms (53) to further form tungsten material in the opening (68). L'invention concerne un procédé pour former des interconnexions conductrices. Dans une forme de réalisation, le procédé comporte les étapes consistant à : former une orifice (68) dans une couche de matière (62) isolante ; former une première pluralité d'atomes (51) germes de silicium dans l'orifice (68) ; et mettre en oeuvre un premier procédé de tirage de tungstène pour former une matière de tungstène dans l'orifice ; former ensuite une deuxième pluralité d'atomes (53) germes de silicium dans l'orifice (68), au-dessus d'au moins une partie de la matière de tungstène formée pendant le premier procédé de tirage de tungstène ; et mettre en oeuvre au moins un procédé supplémentaire de tirage de tungstène après avoir formé la deuxième pluralité d'atomes (53) germes de silicium, afin de former davantage de matière de tungstène dans l'orifice (68).