A PROCESS FOR DRY-ETCHING A SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE

A process for dry-etching a semiconductor wafer having exterior surface portions and having recesses between the exterior surface portions is disclosed, wherein the surface is exposed to a plasma etching component and a first material is anisotropically etched by the plasma etching component in bottom regions of the recesses. During anisotropical etching of the first material, the plasma parameters are adjusted in such a way that a layer of a second material is deposited on the exterior surface portions, protecting the exterior surface portions from the plasma etching component and the first material in the recesses being etched selectively to the second material on the exterior surface portions. Due to an aspect ratio dependent net growth/etch rate, bottom regions of recesses can be etched selectively to exposed surface portions on top of the semiconductor surface which are protected by a layer of the second material deposited. La présente invention concerne un processus de gravure au plasma de plaquette semiconductrice qui possèdent des parties de surface extérieure et des évidements entre ces parties. Dans ce processus on expose la surface à un constituant de gravure au plasma et on grave de façon anisotropique un premier matériau avec ce constituant de gravure au plasma dans le fond des évidements. Pendant la gravure anisotropique du premier matériau, la surface est exposée à un constituant de dépôt en phase vapeur activé par plasma de façon à déposer un second matériau et le rapport du constituant de dépôt et du constituant de gravure au plasma est réglé de façon qu'une couche du second matériau soit déposée sur les parties de surface extérieure, le second matériau protégeant ces parties de surface extérieure du constituant de gravure au plasma, et de façon que le premier matériau dans les évidements soit gravé sélectivement par rapport au second matériau sur les parties de surface extérieure. Du fait d'un taux de croissance/gravure net dépendant du facteur de forme, le fond des évidements peut être gravé sélectivement par rapport aux parties de surface extérieure sur la partie supérieure de la surface du semiconducteur qui sont protégées par la couche du second matériau déposé.