A METHOD FOR WET ETCHING

In etching, an etchant (4) for etching of a substrate (1) is applied in a given pattern. Before etching, a resist layer (2) is applied to the substrate (1) in said pattern to define at least one exposed portion (3) of the substrate (1). In order to minimize under etching, a passivating substance is arranged, before etching, on the substrate (1) to also define said pattern, i.e. at the periphery of the exposed portion (3). The passivating substance is such as to form, during etching, an etch-protecting compound at the periphery. L'invention concerne un procédé de gravure, selon lequel un agent d'attaque chimique (4), destiné à la gravure d'un substrat (1), est appliqué selon un motif donné. Avant la gravure, une couche de réserve (2) est appliquée sur le substrat (1) selon ce motif pour définir au moins une partie exposée (3) du substrat (1). Pour réduire au minimum la gravure sous-jacente pendant la gravure, on applique avant la gravure une substance de passivation sur le substrat (1) pour également définir ce motif, notamment autour de la partie exposée (3). La substance de passivation permet de former, pendant la gravure, un composé de protection contre la gravure à la périphérie.