VACUUM GAP DIELECTRIC FIELD EMISSION TRIODE

A vacuum gap dielectric field emission triode and a method of fabrication include a conductive layer (21) positioned on a supporting substrate (20) and an emitter (25) positioned on the conductive layer. A gate metal layer electrically separated from the conductive layer defines a metal bridge gate (35) surrounding the emitter and separated from the emitter by a substantially fixed distance. The gate metal layer defines a gate opening (30) through the metal bridge gate overlying the emitter. An anode (45) is positioned in spaced relationship to the gate metal layer and the triode is sealed in a substantial vacuum so that the emitter is separated from the metal bridge by the substantial vacuum and the metal bridge is separated from the anode by the substantial vacuum. The method congrises the steps of forming asacrificial layer surrounding the enitter, forming a gate seed layer on the sacrificial layer and forming a mask on the gate seed layer thus defining a gate opening and gate edges. La présente invention concerne une triode à émission de champ diélectrique à écartement d'aspiration et un procédé de fabrication. Cette triode comprend une couche conductible (21) située sur un substrat (20) support et un émetteur (25) situé sur cette couche conductible. Une couche de métal porte électriquement séparée de la couche conductible définit une porte (35) à pont de métal entourant l'émetteur et séparée de cet émetteur par une distance sensiblement fixe. Cette couche de métal porte définit une ouverture (30) de porte à travers la porte à pont de métal qui surplombe l'émetteur. Une anode (45) est espacée par rapport à la couche de métal porte et la triode est scellée dans un vide substantiel de sorte que l'émetteur est séparé du pont de métal par ce vide substantiel et que le pont de métal est séparé de l'anode par ce vide substantiel.