METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH

The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and by regulating a ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of the p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio). The P concentration is chosen from a range between 4*10 cm and 1*10 cm, and the N concentration is chosen from a range between 2*10 cm and 2*10 cm, the P/N ratio being greater than one. In addition, the following conditions shall be fulfilled: a background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to the active layer, including the active layer itself; edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement. L'invention porte sur un procédé de régulation de la bande de fréquence utile de modulation de lasers à injection, notamment de lasers haute fréquence, monomode et monofréquence. Ce procédé consiste à modifier le dopage des couches de base du confinement optique maximal, plus près d'une couche active, en intervenant sur le rapport des concentrations P/N (trous de la couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p/électrons de couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p (rapport P/N). On choisit la concentration dans une plage de 4*10 cm à 1*10 cm pour P, la concentration dans une plage de 2*10 cm à 2*10 cm pour N, le rapport P/N étant supérieur à 1. On veillera notamment à maintenir un niveau d'impuretés de base entre les couches de base dopées du confinement optique maximal, avoisinant la couche active, y compris cette dernière, la zone de charge d'une hétérojonction p-i-n ne dépassant pas les limites des couches de base dopées du confinement optique maximal.