METHOD FOR PRODUCING AN INJECTION LASER

The inventive method for producing an injection laser consists in growing a heterostructure in which confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer are doped in such a way that it is possible to ensure that the ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio) is higher than one. A background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement, including the active layer. In addition, edges of a p-i-n space-charge of a heterojunction is arranged in the underlayers of the maximal optical confinement. The invention considerably increases the power output of single frequency transmitters, stabilises the temperature characteristics thereof and improves the efficiency and reliability of said transmitters. Selon le procédé de l'invention, lors de la fabrication d'un laser à injection on fait pousser une hétérostructure dans laquelle les sous-couches de limitation dopées présentant la plus grande limitation optique, qui sont disposées le plus près de la couche active, sont dopées de manière à assurer un rapport entre, d'une part, la concentration des trous P dans la sous-couche présentant la plus grande limitation optique à conductivité de type "p" du côté du type "p" et, d'autre part, la concentration des électrons N dans la sous-couche présentant la plus grande limitation optique du côté du type "n", P/N, qui est supérieur à un. En même temps, on assure un taux déterminé de dopant de fond entre les sous-couches dopées de limitation présentant une limitation optique maximale, y compris dans la couche active. Les frontières de la charge d'espace de la jonction p-i-n sont disposées dans les sous-couches du dopant de limitation présentant la plus grande limitation optique. Tous ces éléments permettent d'augmenter considérablement la puissance d'émission de sortie des émetteurs à fréquence unique et stabiliser leurs caractéristiques thermiques ainsi que d'augmenter leur efficacité et améliorer leur rendement.