INJECTION LASER

The inventive projection laser has a heterostructure in which a background impurity is maintained between confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to an active layer, and in the active layer itself. The ratio between the P concentration of holes in said underlayer of the maximal optical confinement having the p-type conductivity, from the p-side and the N concentration of electrons in said underlayer of the maximal optical confinement having the n-type conductivity from the n-type (P/N ratio) is chosen such that it is greater than one, including the edges of a p-i-n space charge of a heterojunction. In addition, the edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement. The invention considerably increases the power output of single frequency transmitters, stabilises the temperature characteristics thereof and improves the efficiency and reliability of said transmitters. L'invention concerne un laser à injection possédant une hétérostructure dans laquelle, d'une part, le taux d'impuretés de fond est assuré entre les sous-couches de limitation dopées qui sont disposées le plus près de la couche active ainsi que dans la couche active elle-même; d'autre part, le rapport de la concentration de trous P dans cette sous-couche de type "p" du côté du type "p" par rapport à la concentration d'électrons N dans ladite sous-couche de type "n" du côté du type "n", P/N, est supérieur à un, y compris sur les frontières de la charge d'espace de l'hétérojonction p-i-n; enfin, les frontières de la charge d'espace de l'hétérojonction se trouvent dans les sous-couches du dopant de limitation. Tous ces éléments permettent d'augmenter considérablement la puissance d'émission de sortie des émetteurs à fréquence unique et stabiliser leurs caractéristiques thermiques ainsi que d'augmenter leur efficacité et améliorer leur fiabilité.