METHOD FOR PRODUCING A HIGH-IMPEDANCE SILICON CARBIDE SINTERED BODY

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines hochohmigen Siliziumcarbid (SiC) Sinterkörpers mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines aus undotierten SiC-Körnern gebildeten SiC-Pulvers und eines Dotierstoffs, Herstellen eines im wesentlichen das SiC-Pulver enthaltenden Formkörpers und Aufheizen des Formkörpers und des Dotierstoffs auf Sintertemperatur, so dass der Dotierstoff erst beim Sintern in die SiC-Körner eingebracht wird. The invention relates to a method for producing a high-impedance silicon carbide (SiC) sintered body involving the following steps: providing an SiC powder, which is formed from undoped SiC grains, and providing a dopant; producing a shaped body primarily containing the SiC powder, and; heating the shaped body and the dopant to a sintering temperature so that the dopant is not introduced into the SiC grains until sintering. L'invention concerne un procédé permettant de produire un corps fritté en carbure de silicium (SiC) de valeur ohmique élevée, qui comprend les étapes suivantes : préparer une poudre de SiC formée de grains de SiC non dopés et un dope ; produire un corps moulé contenant principalement de la poudre de SiC et porter ledit corps moulé et le dope à une température de frittage, de sorte que le dope ne soit introduit dans les grains de SiC qu'au moment du frittage.