ELECTROSTATIC CHUCK TEMPERATURE CONTROL METHOD AND SYSTEM

A method and system are provided for controlling temperature of a substrate (110) retained by an electrostatic chuck (112) by varying the voltage supplied to the electrode(s) (108) of the electrostatic chuck. The voltage is decreased to increase the gap (116) between the wafer and the chuck and the voltage is increased to decrease the gap. The rates of heat transfer by radiation, conduction, and convection are correspondingly modified. A heat transfer gas is preferably supplied to the gap and maintained at relatively constant pressure. The pressure of the heat transfer gas can be independently varied at the same time as the chucking voltage to permit an additional level of temperature control. Alternatively, the pressure of heat transfer gas can be modified in response to the dimensions of the gap. The varying of the chucking voltage and/or heat transfer gas pressure can be performed in response to a feedback of measured parameter data from the substrate. L'invention concerne un procédé et un système servant à réguler la température d'un substrat (110) retenu par un support électrostatique (112), ce qui consiste à soumettre à des variations la tension alimentant l'électrode ou les électrodes (108) de ce support électrostatique. On diminue la tension afin d'augmenter l'espace (116) entre la tranche et le support et on augmente la tension afin de diminuer cet espace. On modifie en conséquence les vitesses de transfert thermique par rayonnement, conduction et convection. Un gaz de transfert thermique alimente, de préférence, l'espace et est maintenu à une pression relativement constante. On peut modifier de façon indépendante la pression du gaz de transfert thermique simultanément à la tension de support, de manière à obtenir un niveau supplémentaire de régulation de température. Dans un autre mode de réalisation, on peut modifier la pression du gaz de transfert thermique en réaction aux dimensions de l'espace. On peut effectuer cette modification de la tension de support et/ou de la pression du gaz de transfert thermique en réponse à une rétroaction de données de mesures paramétriques émanant du substrat.