CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION OF METAL SUBSTRATES

A method of polishing a wafer in a carrier with a polishing pad by controlling a ratio of platen speed to carrier speed (PS to CS) within a specific range, or by controlling a first polishing step with a ratio of PS to CS in the range of about 150:1 to about 1:150 followed by a second polishing step with a platen speed of about 0 to 20 rpm while maintaining the carrier speed used in the first polishing step, which maximizes clearing of residual material removed from a patterned wafer surface by polishing. L'invention concerne un procédé de polissage d'une plaquette dans un porteur au moyen d'un tampon de polissage, ledit procédé consistant à réguler un rapport de vitesse de chariot en fonction de la vitesse du porteur (PS en fonction de CS) au sein d'une portée spécifique ou à commander une première étape de polissage avec un rapport (PS en fonction de CS) situé entre environ 150 :1 et environ 1 :150, cette étape étant suivie d'une seconde étape de polissage avec une vitesse de chariot comprise entre environ 0 et 20 rpm, tandis qu'est maintenue la vitesse du porteur utilisée à la première étape de polissage, ce qui maximalise l'élimination de matière résiduelle d'une surface de plaquette imprimée au moyen du polissage.