BACKSIDE CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING SAME

A contact (146) formed from the backside of an integrated circuit device includes a first conductive layer (114) on a first surface of the integrated circuit device and a second conductive layer on a second surface (141) of the device. The two conductive layers are coupled by way of an opening (144) through the semiconductor substrate (110) separating the two conductive layers. A method for making the backside contact (146) comprises forming the first conductive layer (114), forming an opening (144) through the semiconductor substrate (110) to expose at least a portion of the underside (116) of the first conductive layer (114), then filling the opening (144) with a conductive material (150) to provide an electrical contact to the first conductive layer (114) from the backside of the integrated circuit device. L'invention concerne un contact (146) réalisé depuis l'arrière d'un dispositif à circuit intégré, qui comprend une première couche conductrice (114) sur une première surface du dispositif à circuit intégré et une seconde couche conductrice sur une seconde surface (141) du dispositif. Les deux couches conductrices sont couplées par le biais d'une ouverture (144) pratiquée dans le substrat à semiconducteur (110), qui sépare les deux couches. Le procédé de réalisation du contact dorsal (146) consiste à établir la première couche conductrice (114), à pratiquer une ouverture (144) dans le substrat à semiconducteur (110) pour exposer au moins une partie du côté inférieur (116) de la première couche (114), puis à remplir l'ouverture (144) de matériau conducteur (150) afin d'assurer le contact électrique avec la première couche (114) depuis l'arrière du dispositif à circuit intégré.