ELECTROPLATING CHEMISTRY FOR THE CU FILLING OF SUBMICRON FEATURES OF VLSI/ULSI INTERCONNECT

A copper electroplating bath and a method to plate substrates with the bath are provided. The bath and method are particularly effective to plate electronic components such as semiconductive wafer VLSI and ULSI interconnects with void-free fill copper plating for circuitry forming vias and trenches and other small features less than 0.2 microns with high aspect ratios. The copper bath contains a bath soluble organic divalent sulfur compound, and a bath soluble polyether compound such as a block copolymer of polyoxyethylene and polyoxypropylene, a polyoxyethylene or polyoxypropylene derivative of a polyhydric alcohol and a mixed polyoxyethylene and polyoxypropylene derivative of a polyhydric alcohol. A preferred polyether compound is a mixed polyoxyethylene and polyoxypropylene derivative of glycerine. A preferred copper bath also contains a pyridine compound derivative. L'invention concerne un bain d'électrodéposition de cuivre et un procédé de déposition électrolytique sur des substrats à l'aide de ce bain. Le bain et le procédé sont particulièrement efficaces pour réaliser des plaquages électrolytiques de composants électroniques, notamment d'interconnexions VLSI et ULSI de tranches semi-conductrices, par dépôt de cuivre sans vide sur des trous d'interconnexion et des tranchées formant circuits et sur d'autres petites caractéristiques de dimension inférieure à 0,2 micron, avec des rapports d'aspect élevés. Le bain de cuivre contient un composé soufré divalent organique soluble dans le bain, et un composé polyéther soluble dans le bain tel qu'un copolymère séquencé de polyoxyéthylène et de polyoxypropylène, un dérivé polyoxyéthylène ou polyoxypropylène d'un alcool polyhydrique et un dérivé mixte polyoxyéthylène et polyoxypropylène d'un alcool polyhydrique. Un composé polyéther préféré est un dérive mixte polyoxyéthylène et polyoxypropylène de glycérine. Un bain de cuivre préféré contient aussi un dérivé d'un composé de pyridine.