SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH RESISTIVE PATH

High quality epitaxial layers of monocrystalline materials can be grown overlying monocrystalline substrates such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. The compliant substrate includes an accommodating buffer layer (304, 404) that comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from at least a portion of a silicon wafer (302, 402) by an amorphous interface layer (306, 406) of silicon oxide. A resistive path (310, 422) for a circuit component on a monocrystalline compound semiconductor layer (308, 408) overlying the layer of monocrystalline oxide (304, 404) includes portions of the monocrystalline substrate (302). A portion of a waveguide (410) may be coupled to the resistive path (422). Selon la présente invention, on peut faire croître des couches épitaxiales de haute qualité de matériaux monocristallins sur des substrats monocristallins, tels que de grandes plaquettes de silicium, en produisant un substrat adapté à la croissance desdites couches monocristallines. Ce substrat adapté comprend une couche tampon d'accueil (304, 404), qui présente une couche d'oxyde monocristallin, espacée d'au moins une partie d'une plaquette de silicium (302, 402) par une couche d'interface amorphe (306, 406) d'oxyde de silicium. Une voie résistive (310, 422) pour un composant de circuit sur une couche semi-conductrice à composé monocristallin (308, 408) recouvrant la couche d'oxyde monocristallin (304, 404) comprend des parties du substrat monocristallin (302). Une partie d'un guide d'ondes (410) peut être connectée à ladite voie résistive (422).