METHOD OF FORMING VARIABLE OXIDE THICKNESSES ACROSS SEMICONDUCTOR CHIPS

A method for forming variable oxide thicknesses across semiconductor chips comprises providing a silicon semiconductor substrate (10) having preselected areas (16) open to silicon surface using a photoresist layer (14); immersing the silicon semiconductor substrate (10) in an HF type electrolytic bath to produce a porous silicon area (18); and removing the photoresist layer (14) and oxidizing the silicon semiconductor substrate (10) to produce a plurality of thicknesses of gate oxide (20, 22) on the silicon semiconductor substrate (10). La présente invention concerne un procédé de formation d'épaisseurs d'oxyde variables à travers des puces à semiconducteur qui consiste à prendre un substrat (10) semiconducteur de silicium possédant des régions (16) présélectionnées ouvertes sur une surface de silicium utilisant une couche (14) de photorésine, à immerger ce substrat (10) semiconducteur de silicium dans un bain électrolytique de type HF de façon à produire une région (18) de silicium poreuse, à retirer la couche (14) photorésine et à oxyder le substrat (10) semiconducteur de silicium afin de produire une pluralité d'épaisseurs d'oxyde de grille (20, 22) sur ce substrat (10).