POWER MOSFET HAVING ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE

A MOSFET (100) includes a dielectric, preferably in the form of a metal thick oxide (118) that extends alongside the MOSFET's drift region (104). A voltage across this dielectric between its opposing sides exerts an electric field into the drift region to modulate the drift region electric field distribution so as to increase the breakdown voltage of a reverse biased semiconductor junction between the drift region and body region (108). The voltage is applied to conductive region (120). This allows for higher doping of the drift region, for a given breakdown voltage when compared to conventional MOSFET's. The MOSFET is made by forming opposed vertical trenches in a semiconductor wafer, covering the walls of the trenches with dielectric (118), filling the trenches between the dielectric with conductive material (120), and forming a double diffused MOSFET structure between the pair of opposed vertical trenches such that a drift region abuts the dielectric material (118). L'invention concerne un MOSFET (transistor à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal) comprenant un diélectrique, de préférence, sous forme d'un oxyde primaire métallique (118) qui s'étend le long de la zone de dérive du MOSFET (104). Une tension traversant ce diélectrique entre ses côtés opposés exerce un champ électrique dans la zone de dérive afin de moduler la répartition du champ électrique de cette zone en vue d'augmenter la tension de claquage d'une jonction à semi-conducteur à polarisation inverse entre la zone de dérive et la zone de corps (108). Cette tension est appliquée à la zone conductrice (120). Ceci permet un dopage plus élevé de la zone de dérive, pour une tension de claquage donnée lorsqu'elle est comparée à celle d'un MOSFET conventionnel. Le MOSFET de l'invention est réalisé par formation de tranchées verticales opposées dans une plaquette à semi-conducteur, par recouvrement des parois des tranchées avec ledit électrique (118), par remplissage des tranchées entre ledit électrique avec du matériau conducteur (120) et par formation d'une structure MOSFET à double diffusion entre la paire de tranchées verticales opposées de sorte que la zone de dérive soit contiguë au matériau diélectrique (118).