METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF PROCESS GASES

Um auf einfache und kostengünstige Weise die Herstellung eines wasserstoffreichen Prozessgases aus Wasserdampf und Wasserstoff zu ermöglichen bei dem das Mischungsverhältnis von Wasserdampf zu Wasserstoff genau steuer- und reproduzierbar ist, sieht die Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Prozessgases zur Behandlung von Substraten, insbesondere Halbleitersubstraten, vor bei dem, bzw. Bei der Sauerstoff zur Bildung eines Prozessgases aus Wasserdampf und Wasserstoff in einer wasserstoffreichen Umgebung in einer Brennkammer verbrannt wird. The aim of the invention is the simple and economical production of a hydrogen-rich process gas from water vapour and hydrogen, whereby the proportion of water vapour to hydrogen may be precisely controllable and reproducible. Said aim is achieved, with a method and device for the production of a process gas for the treatment of substrates, in particular semiconductor substrates, in which the oxygen for formation of a process gas, comprising water vapour and hydrogen, is burnt in a hydrogen-rich environment in a combustion chamber. La présente invention vise à permettre la production, simple et peu onéreuse, d'un gaz de travail riche en hydrogène, constitué de vapeur d'eau et d'hydrogène, le rapport du mélange de vapeur d'eau et d'hydrogène dans ledit gaz pouvant être régulé et reproduit avec précision. La présente invention concerne donc un procédé et un dispositif de production d'un gaz de travail pour le traitement de substrats, en particulier de substrats semi-conducteurs. Selon ledit procédé, de l'oxygène destiné à la formation d'un gaz de travail constitué de vapeur d'eau et d'hydrogène est brûlé dans une chambre de combustion, dans un environnement riche en hydrogène.