ELECTROLESS PLATING

An A1 bond pad (1) of a semiconductor metallisation is coated with Ni (4) in a simple process. The substrate is etched to remove oxide, and is subsequently rinsed in a non-aqueous liquid. With the non-aqueous liquid (acetone) still on the surface the substrate is placed in an electroless bath having a salt complex containing metal ions as cations and a reducing agent as anions. The bath temperature is higher than boiling point of the non-aqueous rinse solution so that there is immediate evaporation. Cette invention concerne un procédé simple dans lequel un plot de connexion A1 (1) pour métallisation de semi-conducteurs est recouvert de Ni (4). Après attaque destinée à retirer l'oxyde, le substrat est rincé dans un liquide non aqueux. Avec le liquide non aqueux (acétone) toujours sur la surface, on place le substrat dans un bain autocatalytique comprenant un complexe salé comme ions métal et un agent réducteur comme anions. Comme la température du bain es supérieure au point d'ébullition de la solution de rinçage non aqueuse, il y a évaporation immédiate.