ELECTRONIC DEVICES COMPRISING THIN-FILM TRANSISTORS, AND THEIR MANUFACTURE

This invention relates to the fabrication of thin-film transistors (TFTs) on a substrate (4) such as a glass or insulating polymer substrate for use in an active-matrix liquid-crystal display or other large area electronic device. A method of forming a TFT is described which includes the deposition of a masking layer (8) over a semiconductor film (2) and the removal of portions of the masking layer (8) to form a plurality of holes therethrough of a predetermined size and distribution. The perforated portion (26,28) of the masking layer (8) serves to mask partially the semiconductor film (2) during a dopant implantation step to form a field relief region (20,22) simultaneously with definition of the source and drain regions (16,18). La présente invention concerne la fabrication de transistors à couches minces (TFT) sur un substrat (4) tel qu'un substrat de verre ou de polymère isolant destiné à être utilisé dans un écran à cristaux liquides à matrice active ou dans un autre dispositif électronique à surface importante. L'invention concerne un procédé de formation d'un TFT qui consiste à déposer une couche de masquage (8) sur une couche semi-conductrice (2) et à éliminer des parties de la couche de masquage (8) pour former une pluralité de trous débouchants de taille et de répartition prédéterminées. La partie perforée (26,28) de la couche de masquage (8) sert à masquer partiellement la couche semi-conductrice (2) au cours d'une étape d'implantation dopante pour former une zone d'affaiblissement de champ (20,22) simultanément à la définition des zones de source et de drain (16,18).