A METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING EFFICIENCY IN OPTO-ELECTRONIC RADIATION SOURCE DEVICES

A method for improving the efficiency for an optoelectronic device, such as semiconductor lasers, Superluminescence Light Emitting Diodes (SLDs), Gain Chips, optical amplifiers is disclosed, see Fig. 4B. In accordance with the principles of the invention, at least one blocking layer (70) is interposed at the interface between materials composing the device. The at least one blocking layers creates a barrier that prevents the leakage of electrons from a device active region contained in the waveguide region, to a device clad region (66). In one aspect of the invention, a blocking layer (70) is formed at the junction of the semiconductor materials having different types of conductivity. The blocking layer prevents electrons from entering the material of a different polarity. In another aspect of the invention, a low-doped or undoped region (64) is positioned adjacent to the blocking layer (70) to decrease optical losses. L'invention porte sur un procédé améliorant l'efficacité e dispositifs optoélectroniques tels que des lasers à semi-conducteurs des DELs superluminescentes, des puces à gain, ou des amplificateurs optiques, selon lequel on interpose au moins une couche de blocage (70) dans l'interface séparant les matériaux composant le dispositif. L'une au moins des couches de blocage crée une barrière empêchant les fuites d'électrons de la région active du dispositif du guide d'ondes vers la région (66) gainée du dispositif. Selon un aspect de l'invention, la couche de blocage, formée à la jonction de matériaux semi-conducteurs présentant différents types de conductivité, empêche l'entrée des électrons dans le matériau de polarité différente. Selon un autre aspect de l'invention on dispose une région (64) faiblement ou non dopée contre la couche de blocage (70) pour réduire les pertes optiques.