LITHOGRAPHY METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES ON A WAFER AND APPARATUS

A semiconductor device on a wafer is formed by lithography with the following steps of: coating (13) a lithography resist onto said wafer in a coating means (5), exposing (14) said wafer to an irradiation through a reticle in an exposure tool (4), stabilizing (15) said lithography resist for activating chemical reaction and developing said lithography resist in said predetermined areas in a developer means (6) so as to reveal a predetermined lithography resist pattern on the wafer surface, stabilizing (16) the lithography resist in a stabilization means (7) for strengthening said pattern on the wafer surface, performing (17) a metrology inspection of said lithography resist pattern on said wafer surface in a metrology tool (8), etching, wet processing or implanting ions (18) into said wafer in a processing cell (9), wherein said metrology inspection is performed by atomic force microscopy in a atomic force microscopy module (11) immediately after developing and baking said lithography resist adjacent to said stabilization means (7). Procédé de formation de dispositif semi-conducteur sur une tranche de silicium par lithographie, qui comporte les étapes consistant à : revêtir (13) la tranche de réserve lithographique dans une unité (5) de revêtement ; exposer (14) la tranche à un rayonnement traversant un réticule, dans une unité (4) d'exposition ; stabiliser (15) la réserve lithographique pour activer une réaction chimique et développer la réserve lithographique dans des zones prédéterminées, dans une unité (6) de développement, afin de révéler un motif de réserve lithographique prédéterminé sur la surface de la tranche ; stabiliser (16) la réserve lithographique dans une unité (7) de stabilisation afin de renforcer le motif sur la surface de la tranche ; mettre en oeuvre (17) une inspection métrologique du motif de réserve lithographique sur la surface de la tranche dans une unité (8) de mesure ; graver, traiter par voie humide ou implanter des ions (18) dans la tranche, dans une cellule (9) de traitement. L'inspection métrologique est mise en oeuvre par microscopie à force atomique, immédiatement après développement et cuisson de la réserve lithographique, dans un module (11) microscopie à force atomique adjacent à l'unité (7) de stabilisation.