PLASMA CHAMBER SUPPORT HAVING DUAL ELECTRODES

A process chamber (110) capable of processing a substrate (50) in a plasma comprises a dielectric (210) covering a first electrode (220) and a second electrode (230), a conductor (250) supporting the dielectric (210), and a voltage supply (170) to supply an RF voltage to the first electrode (220) or...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KHOLODENKO, ARNOLD, WANG, LIANG-GUO, WONG, KWOK, MANUS, GRIMARD, DENNIS, S, SHAMOUILIAN, SHAMOUIL, VEYTSER, ALEXANDER, M
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PLASMA TECHNIQUE PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A process chamber (110) capable of processing a substrate (50) in a plasma comprises a dielectric (210) covering a first electrode (220) and a second electrode (230), a conductor (250) supporting the dielectric (210), and a voltage supply (170) to supply an RF voltage to the first electrode (220) or the second electrode (230) in the dielectric (210). The first electrode (220) capacitively couples with a process electrode (225) to energize process gas in the process chamber (110) and RF voltage applied to the second electrode (230) is capacitively coupled to the conductor (250) and through a collar (260) or the second electrode (230) is directly capacitively coupled through the collar (260). L'invention se rapporte à une chambre de traitement (110) capable de traiter un substrat (50) dans un plasma. Cette chambre de traitement comporte un diélectrique (210) recouvrant une première électrode (220) et une seconde électrode (230), un conducteur (250) soutenant le diélectrique (210), et une alimentation en tension (170) servant à fournir une tension H.F. à la première électrode (220) ou à la seconde électrode (230) dans le diélectrique (210). La première électrode (220) est couplée de manière capacitative à une électrode de traitement (225) afin d'alimenter la chambre de traitement (110) en gaz de traitement et la tension H.F. appliquée à la seconde électrode (230) est couplée de manière capacitative au conducteur (250) par un collet (260) ou la seconde électrode (230) est directement couplée de manière capacitative par le collet (260).