METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR IN COPPER

A parallel plate capacitor in copper technology is formed in an area that has no copper below it (within 0.3 mu ) with a bottom etch stop layer (104), a composite bottom plate (110) having an aluminium layer below a TiN layer, an oxide capacitor dielectric (120), and a top plate (130) of TiN. The process involves etching the top plate to leave a capacitor area, etching the bottom plate to a larger bottom area having a margin on all sides; depositing an interlayer dielectric having a higher material quality below the top surface of the capacitor top plate; opening contact apertures to the top and bottom plates and to lower interconnect to a two step process that partially opens a nitride cap layer on the lower interconnect and the top plate while penetrating the nitride cap layer above the bottom plate, then cutting through the capacitor dielectric and finishing the penetration of the nitride cap layer. Selon la technologie du cuivre, un condensateur plan est formé dans une zone dépourvue de cuivre sous-jacent (dans 0,3 mu m) avec une couche d'arrêt de gravure inférieure (104), une plaque inférieure composite (110) comprenant une couche d'aluminium sous une couche de TiN, un diélectrique de condensateur d'oxyde (120), ainsi qu'une plaque supérieure (130) de TiN. Ce procédé consiste à graver la plaque supérieure de façon à y ménager une zone de condensateur, à graver la plaque inférieure sur une zone inférieure plus importante dont tous les côtés sont dotés d'une marge, à déposer un diélectrique intercouches présentant une qualité de matériau supérieure sous la surface supérieure de la plaque supérieure du condensateur, à ménager des ouvertures de contact sur les plaques supérieure et inférieure et sur une interconnexion inférieure selon un procédé à deux étapes consistant à ouvrir partiellement une couche de recouvrement de nitrure sur l'interconnexion inférieure et la plaque supérieure tout en pénétrant la couche de recouvrement de nitrure au-dessus de la plaque inférieure, puis à opérer une incision à travers le diélectrique de condensateur et à finir la pénétration de la couche de recouvrement de nitrure.