METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTRONIC COMPONENT AND COMPONENT PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD

Für die Herstellung eines Halbleiterbauelements in einem GaAs-Verbindungs-Halbleiter-Material, insbesondere einem Heterostruktur-GaAs-Halbleiter-Material, z. B. eines Hetero-Bipolar-Transistors, werden Herstellungsverfahren beschrieben, welche bei einfachem und kostengünstigem Prozessverlauf einen niederohmigen Kontaktwiderstend mit hoher Langzeitstabilität der Bauelelmenteigenschaften gewährleisten. The invention relates to methods for producing a semiconductor element in a GaAs compound semiconductor material, especially a heterostructure GaAs semiconductor material, for example a hetero-bipolar transistor. The invention allows production of a low-impedance contact resistance with high long-term stability of the component properties in a simple and cost-effective process profile. L'invention concerne des procédés pour produire un composant semi-conducteur dans un matériau semi-conducteur composé GaAs, en particulier un matériau semi-conducteur GaAs à hétérostructure, p. ex. un transistor hétéro-bipolaire. Ces procédés permettent d'obtenir une résistance de contact à faible impédance avec une haute stabilité à long terme des propriétés des composants, tout en étant de mise en oeuvre facile et économique.