POWER SEMICONDUCTOR MODULE

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungsbauteil (1) und einem Sensorikbauteil (2), bei dem das Sensorikbauteil (2) durch ein zusätzliches, gesondertes Substrat (7) von dem auf einem Substrat (3) vorgesehenen Leistungsbauteil (1) elektrisch und/oder mechanisch isoliert....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BAYERER, REINHOLD, RAITH, SEBASTIAN, KISTNER, MICHAEL, DILLIG, REINHOLD, LODDENKOETTER, MANFRED
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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creator BAYERER, REINHOLD
RAITH, SEBASTIAN
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LODDENKOETTER, MANFRED
description Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungsbauteil (1) und einem Sensorikbauteil (2), bei dem das Sensorikbauteil (2) durch ein zusätzliches, gesondertes Substrat (7) von dem auf einem Substrat (3) vorgesehenen Leistungsbauteil (1) elektrisch und/oder mechanisch isoliert. The invention relates to a power semiconductor module comprising a power component (1) and a sensor component (1), wherein the sensor component (2) is electrically and/or mechanically insulated from the power component (1) disposed on a substrate (7) by means of an individual, additional substrate (7). L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance comportant un composant de puissance (1) et un composant de détection (2). Le composant de détection (2) est électriquement et/ou mécaniquement isolé du composant de puissance placé sur le substrat (3) par un substrat (7) distinct supplémentaire.
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The invention relates to a power semiconductor module comprising a power component (1) and a sensor component (1), wherein the sensor component (2) is electrically and/or mechanically insulated from the power component (1) disposed on a substrate (7) by means of an individual, additional substrate (7). L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance comportant un composant de puissance (1) et un composant de détection (2). 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