AUTOMATED PROCESS MONITORING AND ANALYSIS SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

A method is provided for manufacturing, the method comprising processing a workpiece (100), measuring a parameter (110) characteristic of the processing, and forming an output signal (125) corresponding to the characteristic parameter (110) measured by using the characteristic parameter (110) measur...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TOPRAC, ANTHONY, JOHN, MILLER, MICHAEL, L
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method is provided for manufacturing, the method comprising processing a workpiece (100), measuring a parameter (110) characteristic of the processing, and forming an output signal (125) corresponding to the characteristic parameter (110) measured by using the characteristic parameter (110) measured as an input to a transistor model (120). The method also comprises predicting (130) a wafer electrical test (WET) resulting value (145) based on the output signal (125), detecting (150) faulty processing based on the predicted WET resulting value (145), and correcting (135, 155) the faulty processing. L'invention porte sur un procédé de fabrication consistant à traiter une pièce (100), mesurer un paramètre (110) caractéristique du traitement et générer un signal de sortie (125) correspondant au paramètre caractéristique (110) mesuré à l'aide du paramètre caractéristique (110) mesuré comme l'entrée à un modèle de transistor (120). Le procédé consiste à prédire (130) une valeur (145) résultant d'un test électrique de tranche sur la base du signal de sortie (125), détecter (150) un traitement défaillant sur la base de la valeur prédite (145) et corriger (135, 155) le traitement défaillant.