IN SITU AND EX SITU ETCHING PROCESS FOR STI WITH OXIDE COLLAR APPLICATION

A method or process for etching a trench in an IC structure is disclosed. The IC structure might be comprised of a plurality of different component materials arranged proximate to one another, all of which need to be etched down to a target level. A first etching chemistry is applied which preferentially etches a one type of component material. A second etching chemistry is applied which preferentially etches another type of component material. The method or process toggles back and forth between the etching chemistries until the target level is reached. The toggling techniques serves to maintain the profiles of the different component materials. One component material might also be embedded, as a collar or otherwise, around another component material. The toggling technique can serve to modulate the height, level, or shape of one material relative to another material. The toggling steps can be performed in situ or ex situ. The toggling technique can be used with different mask materials, including a photoresist or a hardmask over the IC structure. L'invention concerne un procédé de décapage d'une tranchée dans une structure de circuit intégré. La structure de circuit intégré peut être composée de divers matériaux de composants disposés près les uns des autres. Ces derniers doivent être décapés jusqu'à l'obtention du niveau requis. On réalise une première phase de décapage qui décape de préférence un seul type de matériau de composant. On réalise ensuite une seconde phase de décapage qui décape de préférence un autre type de matériau de composant. Ce procédé ou processus alterne entre les phases de décapage jusqu'à l'obtention du niveau requis. La technique d'alternance sert à maintenir les profils des différents matériaux de composants. Un matériau de composant peut également être enchâssé, comme collier ou autrement, autour d'un autre matériau de composant. La technique d'alternance peut servir à moduler la hauteur, le niveau ou la forme d'un matériau par rapport à un autre. On peut accomplir les phases d'alternance in situ ou ex situ. La technique d'alternance peut être employée avec différents matériaux de couverture, ceux-ci comprenant aussi un matériau photorésistant ou une couche dure recouvrant la structure de circuit intégré.