INFRARED INSPECTION FOR DETERMINING RESIDUAL FILMS ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Various methods of inspecting a film on a semiconductor workpiece (12) for a residue (18) are provided. In one aspect, a method of inspecting a film (16) on a semiconductor workpiece (12) wherein the film (16) has a known infrared signature is provided. The method includes heating the workpiece (12) so that the film (16) emits infrared radiation (22, 24) and sensing the infrared radiation (22, 24) emitted from the film (16). The infrared signature of the radiation (22, 24) emitted from the film (16) is compared with the known infrared signature and a signal indicative of a deviation between the infrared signature of the emitted infrared radiation (22, 24) and the known infrared signature is generated. The method enables the rapid and accurate detection of residues (18), such as oxide residues on nitride films. L'invention concerne plusieurs procédés d'inspection d'un film disposé sur une pièce à semi-conducteur (12) afin de repérer un résidu (18). Dans un aspect, l'invention concerne un procédé d'inspection d'un film (16) sur une pièce à semi-conducteur (12), où le film (16) présente une signature infrarouge connue. Ce procédé consiste à chauffer la pièce (12) de sorte que le film (16) émette un rayonnement infrarouge (22, 24) et à capter ce rayonnement infrarouge (22, 24) émis à partir du film (16). La signature infrarouge du rayonnement (22, 24) émis à partir du film (16) est comparée à la signature infrarouge connue et un signal indiquant une déviation de la signature infrarouge du rayonnement infrarouge émis (22, 24) par rapport à la signature infrarouge connue est généré. Ce procédé permet une détection rapide et précise de résidus (18), tels que des résidus d'oxyde sur des films de nitrure.