AXIAL GRADIENT TRANSPORT APPARATUS AND PROCESS

Disclosed is an apparatus and a method for growing single crystals of materials such as silicon carbide through axial gradient transport. A source of the material (10) is placed at one end of a reaction chamber (2) opposite a seed crystal (13). Separate heating elements (16 and 60; 20 and 62) are positioned at opposite ends of the reaction chamber. The reaction chamber (2) is placed in a pressurized growth chamber (26). By appropriately controlling the pressure in the growth chamber (26) and the temperature of the heating elements (16, 20), including the temperature differential therebetween, a uniaxial temperature gradient is generated in the reaction chamber (2). In this manner, substantially planar isotherms are generated and a high quality crystal can be grown through a physical vapor transport process. L'invention concerne un appareil et un procédé de fabrication de monocristaux de matériaux, tels que le carbure de silicium, par transport à gradient axial. Une source du matériau (10) est placée à une extrémité d'une chambre de réaction (2) en face d'un cristal germe (13). Des éléments de chauffage séparés (16 et 60; 20 et 62) sont placés à des extrémités opposées de la chambre de réaction. La chambre de réaction (2) est placée dans une chambre de croissance (26) sous pression. En régulant correctement la pression dans la chambre de croissance (26) et la température des éléments de chauffage (16, 20), y compris la différence de température entre les deux, on produit un gradient de température uniaxe dans la chambre de réaction (2), ce qui permet de produire des isothermes sensiblement planaires, et de fabriquer un cristal de grande qualité par un processus physique de transport par vapeur.