METHOD AND APPARATUS FOR REPAIRING LITHOGRAPHY MASKS USING A CHARGED PARTICLE BEAM SYSTEM

A method of repairing opaque defects in lithography masks entails focused ion beam milling in at least two steps (220, 224). The first step (220) uses a large pixel spacing to form multiple holes in the defect material, with the milled area extending short of the defect material edge. The final step (224) uses a pixel spacing sufficiently close to produce a smooth floor on the milled area, and extends to the edge of the defect. During the second step, an etch enhancing gas such as bromine (228) is preferably used. La présente invention concerne un procédé de réparation des défauts opaques dans les masques lithographiques impliquant la gravure par faisceau d'ions focalisé s'étalant sur au moins deux phases (220, 224). La première phase (220) utilise un espacement de pixels important pour former des trous multiples dans le matériau défectueux, la zone gravée dépassant légèrement du bord du matériau défectueux. La dernière phase (224) utilise un espacement de pixels suffisamment serré pour obtenir une surface lisse sur la zone gravée, s'étendant jusqu'au bord du matériau défectueux. De préférence, on utilise dans la seconde phase un gaz améliorant l'attaque chimique, tel que le brome (228).