ETCHING SOLUTION AND METHOD

An etching solution of Hydrogen Fluoride (HF), carboxylic acid and water having a high etch selectivity for silicon oxide relative to metal, polysilicon and nitride. The etching solution is created by injecting anhydrous HF into a carboxylic acid having a precisely controlled minimal amount of water. The etching solution is useful in the fabrication of Micro Electro-Mechanical System (MEMS) devices, as well as the fabrication of MEMS devices in combination with integrated electronics on the same chip. L'invention concerne une solution décapante de fluorure d'hydrogène (HF), d'acide carboxylique et d'eau possédant une forte sélectivité de décapage pour l'oxyde de silicium par rapport au métal, au polysilicium et au nitrure. La solution décapante se forme en injectant du HF anhydre dans un acide carboxylique ayant un quantité minimale d'eau calculée avec précision. La solution décapante est utile dans la fabrication de dispositifs à systèmes mécaniques microélectriques (MEMS), ainsi que dans la fabrication de dispositifs MEMS associés à des composants électroniques intégrés sur la même puce.