METHOD TO PREVENT OXYGEN OUT-DIFFUSION FROM BASRTIO3 CONTAINING MICRO-ELECTRONIC DEVICE

In a method of forming a microelectronic structure of a Pt/BSTO/Pt capacitor stack for use in a DRAM device, the improvement comprising substantially eliminating or preventing oxygen out-diffusion from the BSTO material layer, comprising: preparing a bottom Pt electrode formation; subjecting the bottom Pt electrode formation to an oxygen plasma treatment to form an oxygen enriched Pt layer on the bottom Pt electrode; depositing a BSTO layer on said oxygen enriched Pt layer; depositing an upper Pt electrode layer on the BSTO layer; subjecting the upper Pt electrode layer to an oxygen plasma treatment to form an oxygen incorporated Pt layer; and depositing a Pt layer on the oxygen incorporated Pt layer upper Pt elect. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure microélectronique à partir d'un empilement de condensateur Pt/BSTO/Pt utilisé dans un dispositif DRAM, les perfectionnements consistant sensiblement à éliminer ou à empêcher la diffusion d'oxygène de la couche de matière de BSTO. Ledit procédé consiste à préparer une formation d'électrode de Pt inférieure; à soumettre la formation d'électrode de Pt inférieure à un traitement au plasma à l'oxygène pour former une couche de Pt enrichie en oxygène sur l'électrode de Pt inférieure; à déposer une couche de BSTO sur ladite couche de Pt enrichie en oxygène; à déposer une couche électrode de Pt supérieure sur la couche de BSTO; à soumettre la couche électrode de Pt supérieure à un traitement au plasma à l'oxygène pour former une couche de Pt incorporée à l'oxygène; et à déposer une couche de Pt sur l'électrode de Pt supérieure de la couche de Pt incorporée à l'oxygène.