POLISHING PAD WITH RELEASE LAYER
A multi-layered polishing pad (30) for modifying a surface of a workpiece, such as a semiconductor wafer. The polishing pad (30) includes a polishing layer (31), at least one sub-pad layer (36) adjacent the polishing layer (31), and an attachment layer (39) interposed between and releasably joining...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A multi-layered polishing pad (30) for modifying a surface of a workpiece, such as a semiconductor wafer. The polishing pad (30) includes a polishing layer (31), at least one sub-pad layer (36) adjacent the polishing layer (31), and an attachment layer (39) interposed between and releasably joining the polishing layer (31) and at least a portion of the at least one sub-pad layer (36). The release layer (35) may be interposed between the polishing layer (31) and the sub-pad (36) or between adjacent layers of the sub-pad. Multiple release layers (35) may be included that are interposed between the polishing layer and layers of the sub-pad, as desired. sired.
La présente invention concerne un tampon (30) de polissage multicouche utilisé pour modifier une surface d'un élément à travailler, tel qu'une tranche de semi-conducteur. Le tampon (30) de polissage comprend une couche (31) de polissage, au moins une sous-couche (36) adjacente à la couche (31) de polissage et une couche (39) de liaison qui est intercalée entre la couche (31) de polissage et au moins une partie de la ou des sous-couches (36) et qui relie ces dernières de manière séparable. La couche (35) de séparation peut être intercalée entre la couche (31) de polissage et la sous-couche (36) ou entre des couches adjacentes de la sous-couche. Plusieurs couches (35) de séparation peuvent être intercalées entre la couche de polissage et les multiples couches de la sous-couche. |
---|