METHOD FOR A TUNGSTEN SILICIDE ETCH

A tungsten silicide etch process allows for a high etch rate and 90 DEG sidewall profiles of etched features. According to an example embodiment, a substrate is placed into an etch zone and a process gas comprising SF6, He, HBr, and a chlorine-containing gas is introduced in the etch zone. A plasma is generated in the etch zone to form an etch gas from the process gas that anisotropically etches the tungsten silicide layer. L'invention concerne un procédé de gravure au siliciure de tungstène, qui donne une vitesse de gravure élevée et des éléments gravés présentant des profils des flancs de 90 DEG . Dans une forme de réalisation exemplaire, un substrat est placé dans une zone de gravure et un gaz utilisé comprenant SF6, He, HBr et un gaz chloré est introduit dans la zone de gravure. Un plasma est généré dans la zone de gravure pour former, à partir du gaz utilisé, un gaz de gravure qui effectue une gravure anisotropique de la couche de siliciure de tungstène.